Book Description: Physics and Modeling of Nanotranzitors Author: Кругляк Ю. А. 2018 314 Одесса Изд-во ТЭС Summary: This book provides a comprehensive overview of the physics and modeling of nanotransistors, focusing on short-channel micro and modern nanotransistors of the MOSFET isolated gate MIS transistor type field effect transistor with high electron mobility IIIV HEMT transistors on an extremely thin SOI substrate ETSOI, including DG and GAA gates with NW and CNT channels FinFET transistors. The book begins with an introduction to the MOSFET theory, followed by the beginnings of the virtual source model and the approximation of exhaustion against the background of the Poisson equation. The mobile electronic charge in the massive structure of MOS and in exceptionally thin SOI are discussed from 2D electrostatics to MOS DIBL geometric shielding capacitive model scaling of transistors, their breakdown, and hot carrier injection, and other effects are also explored.

Физика и моделирование нанотранзиторов Автор: Кругляк Ю.А 2018 г. 314 Одесса Изд - во ТЭС Резюме: В этой книге представлен всесторонний обзор физики и моделирования нанотранзисторов с акцентом на короткоканальные микро и современные нанотранзисторы полевого транзистора типа MIS с изолированным затвором MOSFET с высокой подвижностью электронов IIIV HEMT транзисторы на чрезвычайно тонкой подложке SOI ETSOI, включая DG и GAA затворы с каналами NW и CNT FinFET транзисторы. Книга начинается с введения в теорию MOSFET, за которым следуют зачатки модели виртуального источника и приближение исчерпания на фоне уравнения Пуассона. Мобильный электронный заряд в массивной структуре MOS и в исключительно тонкой SOI обсуждаются от 2D электростатики до MOS DIBL геометрического экранирования емкостной модели масштабирования транзисторов, их пробоя и инжекции горячих носителей, а также исследуются другие эффекты.

Physique et modélisation des nanotransitors Auteur : Round Y.A 2018 314 Odessa Ed - dans TEC Résumé : Ce livre présente une vue d'ensemble complète de la physique et de la modélisation des nanotransistors, en mettant l'accent sur les micros à canal court et les nanotransistors modernes d'un transistor à effet de champ de type MIS avec une grille MOSFET isolée à haute mobilité électronique IIIV HEMT sur un substrat SOI ETSOI extrêmement fin, y compris DG et les grilles GAA avec les transistors NW et CNT FinFET. livre commence par une introduction à la théorie MOSFET, suivie des débuts du modèle de la source virtuelle et de l'épuisement dans le contexte de l'équation de Poisson. La charge électronique mobile dans la structure massive MOS et dans le SOI exceptionnellement fin est discutée de l'électrostatique 2D au blindage géométrique MOS DIBL du modèle capacitif de mise à l'échelle des transistors, de leur claquage et de leur injection de porteurs chauds, et d'autres effets sont étudiés.

Fisica e mulazione Nanotransigatori Autore: Rotondo U.A 2018 314 Odessa Isd - in TEC Curriculum: Questo libro fornisce una panoramica completa della fisica e della simulazione dei nanotransistori, con un focus sui micro canali corti e sui moderni nanotransister transistor da campo di tipo MI con isolamento MOSFET ad alta mobilità degli elettroni IIIV HEMT transistor su un sottile sottile sottofondo di SOI ETSOI, inclusi i blocchi DG e GAA con canali NW e CNT di transistor. Il libro inizia con l'introduzione alla teoria MOSFET, seguita dall'elaborazione del modello di sorgente virtuale e dall'avvicinarsi dell'esaurimento di fronte all'equazione di Poisson. La carica elettronica mobile in una struttura MOS massiccia e in una SOI estremamente sottile si discute da elettrostatico 2D a MOS DIBL di schermatura geometrica in grado di scalare i transistor, di perforazione e di iniezione dei supporti caldi e di altri effetti.

Physik und Modellierung von Nanotransmittern Autor: Krugljak Y.A 2018 314 Odessa Izd - in TPP Zusammenfassung: Dieses Buch bietet einen umfassenden Überblick über die Physik und Modellierung von Nanotransistoren mit Schwerpunkt auf Kurzkanal-Mikro- und modernen Nanotransistoren des MOSFET-Typs MIS mit isoliertem Gate und hoher Elektronenmobilität IIIV HEMT-Transistoren auf einem extrem dünnen SOI-ETSOI-Substrat, einschließlich DG und GAA Gates mit NW- und CNT-FinFET-Transistoren. Das Buch beginnt mit einer Einführung in die MOSFET-Theorie, gefolgt von den Anfängen des virtuellen Quellmodells und der Annäherung der Erschöpfung vor dem Hintergrund der Poisson-Gleichung. Die mobile elektronische Ladung in der massiven MOS-Struktur und in der außergewöhnlich dünnen SOI wird von der 2D-Elektrostatik bis zur MOS-DIBL-geometrischen Abschirmung des kapazitiven Modells der Transistorskalierung, ihres Durchbruchs und der Injektion heißer Träger diskutiert und andere Effekte untersucht.

פיזיקה וסימולציה של ננו-ציידים מחבר: Kruglyak Yu.A. 2018 314 Odessa Publishing House - ב-TPP Summary: ספר זה מספק סקירה מקיפה של הפיזיקה והסימולציה של ננו-רונזיסטורים עם התמקדות במיקרו-ערוצים קצרים וסוג MOSFET MIS מודרני מבודד ננו-ננו שער עם ניידות אלקטרון גבוהה IIIV B SOI ETSOI סובסטרט דק, כולל שערי DG ו-GAA עם ערוצים NW וטרנזיסטורים CNT FINFET. הספר מתחיל עם הקדמה לתאוריית MOSFET, ואחריה התחלה של מודל מקור וירטואלי וקירוב של תשישות על רקע משוואת פואסון. מטען אלקטרון נייד במבנה מסיבי של MOS ובמבנה דק במיוחד של SOI נדון מאלקטרוסטטיקה 2D למיגון גאומטרי של MOS DIBL של הדגם הקיבל של טרנזיסטור, פירוט והזרקה של נשאים חמים, והשפעות אחרות נחקרות.''

Nanotransitörlerin fiziği ve simülasyonu Yazar: Kruglyak Yu.A. 2018 314 Odessa Yayınevi - TPP Özeti: Bu kitap, kısa kanallı mikro ve modern MOSFET tipi MIS yalıtımlı kapı nanotransistörlerine odaklanarak nanotransistörlerin fiziği ve simülasyonu hakkında kapsamlı bir genel bakış sunmaktadır. Son derece ince bir SOI ETSOI substratı üzerinde yüksek elektron hareketliliğine sahip IIIV HEMT transistörleri Kanal NW ve CNT FinFET transistörlü DG ve GAA kapıları dahil. Kitap, MOSFET teorisine bir giriş ile başlar, ardından sanal bir kaynak modelinin başlangıcı ve Poisson denkleminin arka planına karşı tükenme yaklaşımı gelir. MOS'un büyük yapısındaki ve son derece ince SOI'deki mobil elektron yükü, 2D elektrostatikten, transistör ölçeklemesinin kapasitif modelinin MOS DIBL geometrik korumasına, sıcak taşıyıcıların parçalanması ve enjeksiyonuna ve diğer etkilere kadar tartışılmıştır.

فيزياء ومحاكاة الناقلات النانوية المؤلف: Kruglyak Yu.A. دار نشر 2018 314 أوديسا - في ملخص TPP: يقدم هذا الكتاب نظرة عامة شاملة على فيزياء ومحاكاة الناقلات النانوية مع التركيز على القنوات الصغيرة والحديثة MOSFET من نوع MIS MIS، الناقلات النانوية المعزولة ذات الحركة الإلكترونية العالية IIIV HEMT الترانزستورات على ركيزة SOI ETSOI رقيقة للغاية، بما في ذلك بوابات DG و GAA مع قنوات NW و CNT FinFET ترانزستورات. يبدأ الكتاب بمقدمة لنظرية MOSFET، تليها بدايات نموذج المصدر الافتراضي وتقريب الإرهاق على خلفية معادلة بواسون. تتم مناقشة شحنة الإلكترون المتنقلة في الهيكل الهائل لـ MOS وفي SOI الرقيق بشكل استثنائي من الكهروستاتيك ثنائي الأبعاد إلى الحماية الهندسية MOS DIBL للنموذج السعي لتسلسل الترانزستور، وتحطيمها وحقنها للناقلات الساخنة، ويتم فحص التأثيرات الأخرى.

나노 제작자의 물리학 및 시뮬레이션 저자: Kruglyak Yu.A. 2018 314 Odessa Publishing House-TPP 요약: 이 책은 매우 얇은 SOIV HEMT 트랜지스터를 갖춘 짧은 채널 마이크로 및 최신 MOSFET 유형 MIS 절연 게이트 나노 트랜지스터에 중점을 둔 나노 트랜지스터의 물리 및 시뮬레이션에 대한 포괄적 인 개요약 채널 NW 및 CNT FinFET 트랜지스터가있는 DG 및 GAA 게이트를 포함합니다. 이 책은 MOSFET 이론에 대한 소개로 시작하여 가상 소스 모델의 시작과 포아송 방정식의 배경에 대한 소진 근사치로 시작됩니다. MOS의 거대한 구조 및 매우 얇은 SOI의 이동 전자 전하는 2D 정전기에서 트랜지스터 스케일링의 용량 성 모델의 MOS DIBL 기하학적 차폐, 고온 캐리어의 고장 및 주입 및 기타 효과에 대해 논의됩니다.

物理学とナノトランジタのシミュレーション著者：Kruglyak Yu。A。2018 314 Odessa Publishing House-in TPP要約：この本は、電子移動性の高いショートチャンネルマイクロおよび最新のMOSFETタイプMIS絶縁ゲートナノトランジスタに焦点を当てたナノトランジスタの物理とシミュレーションの包括的な概要を提供します非常に薄いSOI ETSOIの基質のトランジスタ、 チャネルNWおよびCNT FinFETトランジスタが付いているDGおよびGAAのゲートを含んで。この本は、MOSFET理論の紹介から始まり、その後、仮想ソースモデルの始まりとポアソン方程式の背景に対する疲労の近似から始まります。MOSの大規模構造と非常に薄いSOIにおける移動電子電荷については、2D静電気学から、トランジスタスケーリングの容量性モデルのMOS DIBL幾何学的シールド、ホットキャリアの分解と注入などの効果が検討されています。

Nanotranzitor物理和建模作者：Kruglyak Y.A. 2018 314 Odessa Eazd-在TPP總結： 本書全面概述了納米晶體管的物理和建模，重點是具有高電子遷移率IIIIV HEMT晶體管的MIS型場效應晶體管的短通道微晶體管和現代納米晶體管，包括ETSOI極薄的SOI基板上的晶體管，包括帶有NW和CNT FinFET晶體管通道的DG和GAA門。該書首先介紹了MOSFET理論，然後在泊松方程的背景下啟動了虛擬源模型並近似了用盡。從2D靜電學到MOS DIBL幾何屏蔽晶體管縮放電容模型，它們的擊穿和熱載流子註入的移動電子電荷進行了討論，並研究了其他影響。