Book Description: RF and Microwave Modeling and Measurement Techniques for Field Effect Transistors Author: Jianjun Gao 2010 346 SciTech Publishing This book provides an introduction to microwave and RF signal modeling and measurement techniques for field-effect transistors (FETs). The book is designed for readers who have a basic understanding of electronic circuits and are looking to improve the performance of integrated circuits, reduce design cycles, and increase their chances of success on the first try. The book covers various aspects of FET technology, including device physics, circuit analysis, and measurement techniques. The book begins with an overview of the fundamental principles of FET technology, including device structure, operation, and characteristics. It then delves into the details of RF and microwave modeling techniques, such as the small-signal model, the large-signal model, and the distributed-element model. These models are essential for understanding the behavior of FETs in high-frequency applications and are critical for optimizing their performance. The book also covers measurement techniques for FETs, including source-follower and load-pull measurements. These techniques are crucial for evaluating the performance of FETs and identifying areas for improvement. The book provides practical examples and exercises to help readers apply the concepts they have learned to real-world problems. One of the unique features of this book is its focus on the importance of understanding the process of technology evolution. The author emphasizes the need to study and understand the historical development of FET technology to appreciate its current state and future potential. This perspective helps readers recognize the significance of the technological advancements made in the field and their impact on modern society. The book also highlights the need and possibility of developing a personal paradigm for perceiving the technological process of developing modern knowledge.

RF and Microwave Modeling and Measurement Techniques for Field-effect Transistors Автор: Цзяньцзюнь Гао (Jianjun Gao) 2010 346 SciTech Publishing В этой книге представлено введение в методы моделирования и измерения микроволновых и радиочастотных сигналов для полевых транзисторов (FET). Книга предназначена для читателей, которые имеют базовые представления об электронных схемах и стремятся улучшить производительность интегральных схем, сократить циклы проектирования и повысить свои шансы на успех с первой попытки. Книга охватывает различные аспекты технологии FET, включая физику устройств, анализ схем и методы измерений. Книга начинается с обзора фундаментальных принципов технологии FET, включая структуру, работу и характеристики устройства. Затем он углубляется в детали методов радиочастотного и микроволнового моделирования, таких как модель малых сигналов, модель больших сигналов и модель распределенных элементов. Эти модели необходимы для понимания поведения полевых транзисторов в высокочастотных приложениях и имеют решающее значение для оптимизации их производительности. В книге также рассматриваются методы измерения для полевых транзисторов, включая измерения повторителя источника и нагрузки. Эти методы имеют решающее значение для оценки рабочих характеристик полевых транзисторов и определения областей для улучшения. Книга содержит практические примеры и упражнения, которые помогут читателям применить изученные ими концепции к реальным проблемам. Одной из уникальных особенностей этой книги является ее направленность на важность понимания процесса эволюции технологий. Автор подчеркивает необходимость изучения и понимания исторического развития технологии FET, чтобы оценить ее текущее состояние и будущий потенциал. Эта перспектива помогает читателям осознать значимость технологических достижений, достигнутых в этой области, и их влияние на современное общество. В книге также подчеркивается необходимость и возможность выработки личностной парадигмы восприятия технологического процесса развития современных знаний.

RF and Microwave Modeling and Measurement Techniques for Field-Effect Transiteurs Auteur : Jianjun Gao (Jianjun Gao) 2010 346 SciTech Publishing Ce livre présente une introduction aux méthodes de modélisation et de mesure des signaux hyperfréquences et radiofréquences transistors à effet de champ (FET). livre est destiné aux lecteurs qui ont des idées de base sur les circuits électroniques et cherchent à améliorer les performances des circuits intégrés, réduire les cycles de conception et augmenter leurs chances de succès à la première tentative. livre couvre différents aspects de la technologie FET, y compris la physique des appareils, l'analyse des schémas et les méthodes de mesure. livre commence par un aperçu des principes fondamentaux de la technologie FET, y compris la structure, le fonctionnement et les caractéristiques de l'appareil. Il est ensuite approfondi dans les détails des techniques de modélisation radiofréquence et hyperfréquence telles que le modèle des petits signaux, le modèle des grands signaux et le modèle des éléments distribués. Ces modèles sont nécessaires pour comprendre le comportement des transistors à effet de champ dans les applications à haute fréquence et sont essentiels pour optimiser leurs performances. livre traite également des méthodes de mesure pour les transistors à effet de champ, y compris les mesures du répéteur de source et de charge. Ces techniques sont essentielles à l'évaluation des performances des transistors à effet de champ et à la détermination des zones à améliorer. livre contient des exemples pratiques et des exercices qui aideront les lecteurs à appliquer les concepts qu'ils ont appris aux problèmes réels. L'une des caractéristiques uniques de ce livre est son accent sur l'importance de comprendre l'évolution des technologies. L'auteur souligne la nécessité d'étudier et de comprendre l'évolution historique de la technologie FET afin d'évaluer son état actuel et son potentiel futur. Cette perspective aide les lecteurs à comprendre l'importance des progrès technologiques réalisés dans ce domaine et leur impact sur la société moderne. livre souligne également la nécessité et la possibilité d'élaborer un paradigme personnel de la perception du processus technologique du développement des connaissances modernes.

RF y Microwave Modeling and Measurement Techniques for Field-effect Transistors Autor: Jianjun Gao (Jianjun Gao) 2010 346 SciTech En este libro se presenta una introducción a las técnicas de modelado y medición de señales de microondas y radiofrecuencia para transistores de campo (FET). libro está dirigido a lectores que tienen ideas básicas sobre circuitos electrónicos y buscan mejorar el rendimiento de los circuitos integrados, reducir los ciclos de diseño y aumentar sus posibilidades de éxito en el primer intento. libro cubre diversos aspectos de la tecnología FET, incluyendo la física de dispositivos, análisis de circuitos y técnicas de medición. libro comienza con una revisión de los principios fundamentales de la tecnología FET, incluyendo la estructura, funcionamiento y características del dispositivo. Luego se profundiza en los detalles de las técnicas de modelado de radiofrecuencia y microondas, como el modelo de señales pequeñas, el modelo de señales grandes y el modelo de elementos distribuidos. Estos modelos son necesarios para entender el comportamiento de los transistores de campo en aplicaciones de alta frecuencia y son cruciales para optimizar su rendimiento. libro también examina los métodos de medición para los transistores de campo, incluidas las mediciones del repetidor de origen y carga. Estas técnicas son cruciales para evaluar el rendimiento de los transistores de campo y determinar las áreas a mejorar. libro contiene ejemplos prácticos y ejercicios que ayudarán a los lectores a aplicar los conceptos que aprenden a los problemas reales. Una de las características únicas de este libro es su enfoque en la importancia de entender el proceso de evolución de la tecnología. autor subraya la necesidad de estudiar y comprender el desarrollo histórico de la tecnología FET para evaluar su estado actual y potencial futuro. Esta perspectiva ayuda a los lectores a comprender la importancia de los avances tecnológicos logrados en este campo y su impacto en la sociedad actual. libro también destaca la necesidad y la posibilidad de generar un paradigma personal para percibir el proceso tecnológico del desarrollo del conocimiento moderno.

RF and Microwave Modeling and Measurement Technics for Field-effect Transistors Autore: Jianjun Gao 2010 346 SciTech Publishing Questo libro presenta un'introduzione alle tecniche di modellazione e misurazione dei microonde e segnali di radiofrequenza per i transistor sul campo (FET). Il libro è progettato per i lettori che hanno una visione di base dei circuiti elettronici e cercano di migliorare le prestazioni dei circuiti integrati, ridurre i cicli di progettazione e aumentare le probabilità di successo al primo tentativo. Il libro comprende diversi aspetti della tecnologia FET, tra cui la fisica dei dispositivi, l'analisi dei diagrammi e i metodi di misurazione. Il libro inizia con una panoramica dei principi fondamentali della tecnologia FET, inclusa la struttura, il funzionamento e le caratteristiche del dispositivo. Viene poi approfondito nei dettagli delle tecniche di simulazione a radiofrequenza e microonde, come il modello dei piccoli segnali, il modello dei grandi segnali e il modello degli elementi distribuiti. Questi modelli sono essenziali per comprendere il comportamento dei transistor sul campo nelle applicazioni ad alta frequenza e sono fondamentali per ottimizzarne le prestazioni. Il libro descrive anche i metodi di misurazione per i transistor sul campo, incluse le misurazioni del ripetitore di origine e del carico. Questi metodi sono fondamentali per valutare le caratteristiche operative dei transistor sul campo e definire le aree da migliorare. Il libro contiene esempi pratici e esercizi che aiuteranno i lettori ad applicare i concetti che hanno studiato ai problemi reali. Una delle caratteristiche uniche di questo libro è l'importanza di comprendere l'evoluzione della tecnologia. L'autore sottolinea la necessità di esplorare e comprendere lo sviluppo storico della tecnologia FET per valutarne lo stato attuale e il potenziale futuro. Questa prospettiva aiuta i lettori a comprendere l'importanza dei progressi tecnologici raggiunti in questo campo e il loro impatto sulla società moderna. Il libro sottolinea anche la necessità e la possibilità di sviluppare un paradigma personale per la percezione del processo tecnologico dello sviluppo della conoscenza moderna.

HF und Mikrowellen Modellierungs- und Messtechniken für Feld-Effekt-Transistoren Autor: Jianjun Gao 2010 346 SciTech Publishing Dieses Buch bietet eine Einführung in Methoden zur Modellierung und Messung von Mikrowellen- und HF-gnalen für Feldeffekttransistoren (FET). Das Buch richtet sich an ser, die grundlegende Vorstellungen von elektronischen Schaltungen haben und bestrebt sind, die istung integrierter Schaltungen zu verbessern, Designzyklen zu verkürzen und ihre Erfolgschancen beim ersten Versuch zu verbessern. Das Buch behandelt verschiedene Aspekte der FET-Technologie, einschließlich Gerätephysik, Schaltungsanalyse und Messmethoden. Das Buch beginnt mit einem Überblick über die grundlegenden Prinzipien der FET-Technologie, einschließlich Struktur, Betrieb und Eigenschaften des Geräts. Es geht dann tiefer in die Details von Hochfrequenz- und Mikrowellenmodellierungstechniken wie dem Small-gnal-Modell, dem Large-gnal-Modell und dem Distributed-Element-Modell. Diese Modelle sind essentiell für das Verständnis des Verhaltens von Feldeffekttransistoren in Hochfrequenzanwendungen und entscheidend für die Optimierung ihrer istung. Das Buch befasst sich auch mit Messmethoden für Feldeffekttransistoren, einschließlich Quellen- und tfolgermessungen. Diese Techniken sind entscheidend, um die istung von Feldeffekttransistoren zu bewerten und Bereiche zu identifizieren, die verbessert werden müssen. Das Buch enthält praktische Beispiele und Übungen, die den sern helfen, die Konzepte, die sie gelernt haben, auf reale Probleme anzuwenden. Eines der einzigartigen Merkmale dieses Buches ist sein Fokus auf die Bedeutung des Verständnisses des technologischen Evolutionsprozesses. Der Autor betont die Notwendigkeit, die historische Entwicklung der FET-Technologie zu untersuchen und zu verstehen, um ihren aktuellen Zustand und ihr zukünftiges Potenzial zu beurteilen. Diese Perspektive hilft den sern, die Bedeutung der in diesem Bereich erzielten technologischen Fortschritte und ihre Auswirkungen auf die moderne Gesellschaft zu erkennen. Das Buch betont auch die Notwendigkeit und die Möglichkeit, ein persönliches Paradigma für die Wahrnehmung des technologischen Prozesses der Entwicklung des modernen Wissens zu entwickeln.

RF ו-Microwave Modeling and Medicuement Technistors for Field-Effect Transistors על ידי Jianjun Gao 2010 346 SciTech Publishing הספר מספק מבוא לשיטות למידול ומדידת תדרי מיקרוגל ורדיו. הספר מכוון לקוראים בעלי הבנה בסיסית של מעגלים אלקטרוניים ומבקשים לשפר את ביצועי המעגל המשולב, לקצר את מחזורי העיצוב ולשפר את סיכויי ההצלחה שלהם בניסיון הראשון. הספר עוסק בהיבטים שונים של טכנולוגיית FET, כולל פיזיקת התקנים, ניתוח מעגלים וטכניקות מדידה. הספר מתחיל בסקירה של עקרונות היסוד של טכנולוגיית FET, כולל המבנה, התפעול והמאפיינים של המכשיר. לאחר מכן הוא מתעמק בפרטים של תדר רדיו וטכניקות דוגמנות מיקרוגל כמו מודל האות הקטן, מודל האות הגדול, ומודל היסוד המבוזר. מודלים אלה חיוניים להבנת התנהגותם של טרנזיסטורים בעלי אפקט שדה ביישומים בעלי תדירות גבוהה והם חיוניים כדי לייעל את ביצועיהם. הספר דן גם בטכניקות מדידה של טרנזיסטורים לאפקט שדה, כולל מדידות של המקור חוזר ועומס. טכניקות אלה הן קריטיות להערכת הביצועים של טרנזיסטורים אפקט שדה ואזורים זיהוי לשיפור. הספר מכיל דוגמאות מעשיות ותרגולים שיעזרו לקוראים ליישם את המושגים שלמדו לבעיות אמיתיות. אחד המאפיינים הייחודיים של ספר זה הוא התמקדותו בחשיבות הבנת תהליך האבולוציה של הטכנולוגיה. המחבר מדגיש את הצורך לחקור ולהבין את ההתפתחות ההיסטורית של טכנולוגיית FET על מנת להעריך את מצבה הנוכחי ואת הפוטנציאל העתידי. נקודת מבט זו עוזרת לקוראים להבין את חשיבות ההתקדמות הטכנולוגית שנעשתה בתחום זה ואת השפעתם על החברה המודרנית. הספר גם מדגיש את הצורך והאפשרות לפתח פרדיגמה אישית לתפיסה של התהליך הטכנולוגי של התפתחות הידע המודרני.''

Alan Etkili Transistörler için RF ve Mikrodalga Modelleme ve Ölçüm Teknikleri Jianjun Gao 2010 346 SciTech Publishing Bu kitap, alan etkili transistörler (FET) için mikrodalga ve radyo frekansı sinyallerini modelleme ve ölçme yöntemlerine bir giriş sunmaktadır. Kitap, elektronik devreler hakkında temel bir anlayışa sahip olan ve entegre devre performansını iyileştirmek, tasarım döngülerini kısaltmak ve ilk denemede başarı şanslarını artırmak isteyen okuyuculara yöneliktir. Kitap, cihaz fiziği, devre analizi ve ölçüm teknikleri de dahil olmak üzere FET teknolojisinin çeşitli yönlerini kapsamaktadır. Kitap, cihazın yapısı, çalışması ve özellikleri de dahil olmak üzere FET teknolojisinin temel ilkelerine genel bir bakış ile başlar. Daha sonra küçük sinyal modeli, büyük sinyal modeli ve dağıtılmış eleman modeli gibi radyo frekansı ve mikrodalga modelleme tekniklerinin ayrıntılarına girer. Bu modeller, yüksek frekanslı uygulamalarda alan etkili transistörlerin davranışını anlamak için gereklidir ve performanslarını optimize etmek için kritik öneme sahiptir. Kitap ayrıca kaynak tekrarlayıcı ve yük ölçümleri de dahil olmak üzere alan etkili transistörler için ölçüm tekniklerini tartışıyor. Bu teknikler, alan etkili transistörlerin performansını değerlendirmek ve iyileştirme alanlarını belirlemek için kritik öneme sahiptir. Kitap, okuyucuların üzerinde çalıştıkları kavramları gerçek sorunlara uygulamalarına yardımcı olacak pratik örnekler ve alıştırmalar içermektedir. Bu kitabın benzersiz özelliklerinden biri, teknolojinin evrim sürecini anlamanın önemine odaklanmasıdır. Yazar, mevcut durumunu ve gelecekteki potansiyelini değerlendirmek için FET teknolojisinin tarihsel gelişimini inceleme ve anlama ihtiyacını vurgulamaktadır. Bu bakış açısı, okuyucuların bu alanda yapılan teknolojik gelişmelerin önemini ve modern toplum üzerindeki etkilerini anlamalarına yardımcı olur. Kitap ayrıca, modern bilginin gelişiminin teknolojik sürecinin algılanması için kişisel bir paradigma geliştirmenin gerekliliğini ve olasılığını vurgulamaktadır.

RF وتقنيات النمذجة والقياس بالموجات الدقيقة للترانزستورات ذات التأثير الميداني بواسطة Jianjun Gao 2010 346 SciTech Publishing يقدم هذا الكتاب مقدمة لطرق نمذجة وقياس إشارات ترددات الميكروويف والراديو للترانزستورات ذات التأثير الميداني (FET). يستهدف الكتاب القراء الذين لديهم فهم أساسي للدوائر الإلكترونية ويسعون إلى تحسين أداء الدائرة المتكاملة، وتقصير دورات التصميم، وتحسين فرص نجاحهم في المحاولة الأولى. يغطي الكتاب جوانب مختلفة من تقنية FET، بما في ذلك فيزياء الجهاز وتحليل الدوائر وتقنيات القياس. يبدأ الكتاب بلمحة عامة عن المبادئ الأساسية لتكنولوجيا FET، بما في ذلك هيكل الجهاز وتشغيله وخصائصه. ثم يتعمق في تفاصيل تردد الراديو وتقنيات نمذجة الميكروويف مثل نموذج الإشارة الصغير ونموذج الإشارة الكبير ونموذج العنصر الموزع. هذه النماذج ضرورية لفهم سلوك الترانزستورات ذات التأثير الميداني في التطبيقات عالية التردد وهي ضرورية لتحسين أدائها. يناقش الكتاب أيضًا تقنيات قياس ترانزستورات التأثير الميداني، بما في ذلك قياسات مصدر المكرر والحمل. هذه التقنيات حاسمة لتقييم أداء ترانزستورات التأثير الميداني وتحديد مجالات التحسين. يحتوي الكتاب على أمثلة عملية وتمارين تساعد القراء على تطبيق المفاهيم التي درسوها على المشكلات الحقيقية. إحدى السمات الفريدة لهذا الكتاب هي تركيزه على أهمية فهم عملية تطور التكنولوجيا. يؤكد المؤلف على الحاجة إلى دراسة وفهم التطور التاريخي لتكنولوجيا FET من أجل تقييم حالتها الحالية وإمكاناتها المستقبلية. يساعد هذا المنظور القراء على إدراك أهمية التقدم التكنولوجي الذي تم إحرازه في هذا المجال وتأثيرها على المجتمع الحديث. ويشدد الكتاب أيضا على ضرورة وإمكانية وضع نموذج شخصي لتصور العملية التكنولوجية لتطور المعرفة الحديثة.

Jianjun Gao 2010 346 SciTech Publishing의 현장 효과 트랜지스터를위한 RF 및 전자 레인지 모델링 및 측정 기술. 이 책은 전자 회로에 대한 기본적인 이해를 가지고 있으며 집적 회로 성능을 개선하고 설계주기를 단축하며 첫 시도에서 성공 가능성을 높이려는 독자를 대상으로합니다. 이 책은 장치 물리, 회로 분석 및 측정 기술을 포함하여 FET 기술의 다양한 측면을 다룹니다. 이 책은 장치의 구조, 작동 및 특성을 포함하여 FET 기술의 기본 원리에 대한 개요로 시작합니다. 그런 다음 작은 신호 모델, 큰 신호 모델 및 분산 요소 모델과 같은 무선 주파수 및 마이크로파 모델링 기술의 세부 사항을 살펴 봅니다. 이 모델은 고주파 응용 분야에서 전계 효과 트랜지스터의 동작을 이해하는 데 필수적이며 성능을 최적화하는 데 중요합니다. 이 책은 또한 소스 리피터 및로드 측정을 포함하여 전계 효과 트랜지스터의 측정 기술에 대해서도 설명합니다. 이러한 기술은 전계 효과 트랜지스터의 성능을 평가하고 개선 영역을 식별하는 데 중요합니다. 이 책에는 독자들이 연구 한 개념을 실제 문제에 적용하는 데 도움이되는 실용적인 예와 연습이 포함되어 있습 이 책의 독특한 특징 중 하나는 기술 진화 과정을 이해하는 것의 중요성에 중점을 둡니다. 저자는 현재 상태와 미래의 잠재력을 평가하기 위해 FET 기술의 역사적 발전을 연구하고 이해할 필요성을 강조합니다. 이러한 관점은 독자들이이 분야에서 이루어진 기술 발전의 중요성과 현대 사회에 미치는 영향을 깨닫도록 도와줍니다 이 책은 또한 현대 지식 개발의 기술 과정에 대한 인식을위한 개인 패러다임 개발의 필요성과 가능성을 강조합니다.

Jianjun Gaoによる電界効果トランジスタのRFおよびマイクロ波モデリングと測定技術346 SciTech Publishingこの本では、電界効果トランジスタ（FET）のマイクロ波および無線周波信号のモデリングと測定方法について紹介します。この本は、電子回路の基本的な理解を持ち、集積回路の性能を向上させ、設計サイクルを短縮し、最初の試みで成功の可能性を向上させることを目指している読者を対象としています。本書では、デバイス物理学、回路解析、測定技術など、FET技術の様々な側面を取り上げています。本書は、デバイスの構造、動作、特性など、FET技術の基本原則の概要から始まります。その後、小信号モデル、大信号モデル、分散元素モデルなどの無線周波数とマイクロ波モデリング技術の詳細を掘り下げます。これらのモデルは、高周波アプリケーションにおける電界効果トランジスタの動作を理解するために不可欠であり、その性能を最適化するために不可欠です。また、ソースリピータや負荷の測定など、フィールド効果トランジスタの測定技術についても解説しています。これらの技術は、フィールド効果トランジスタの性能を評価し、改善のための領域を特定するために不可欠です。本には、実際の問題に研究した概念を適用するのに役立つ実用的な例と演習が含まれています。この本のユニークな特徴の1つは、技術の進化のプロセスを理解することの重要性に焦点を当てることです。著者は、現在の状態と将来の可能性を評価するために、FET技術の歴史的発展を研究し理解する必要性を強調しています。この視点は、この分野における技術の進歩と現代社会への影響の重要性を理解するのに役立ちます。この本はまた、現代の知識の発展の技術的プロセスの認識のための個人的なパラダイムを開発する必要性と可能性を強調しています。

RF和微波現場效應傳輸儀的建模和測量技術作者：高建軍（江君）2010 346 SciTech Publishing本書介紹了微波和射頻信號的建模和測量方法用於場效應晶體管（FET）。該書面向對電子電路有基本見解的讀者，旨在提高集成電路性能，縮短設計周期，並在首次嘗試時提高成功機會。該書涵蓋了FET技術的各個方面，包括設備物理學，電路分析和測量方法。本書首先回顧了FET技術的基本原理，包括設備的結構，操作和特性。然後，他深入研究了射頻和微波建模技術的細節，例如小信號模型，大信號模型和分布式元素模型。這些模型對於了解場效應晶體管在高頻應用中的行為至關重要，並且對於優化其性能至關重要。該書還研究了場效應晶體管的測量方法，包括源重復器和負載的測量。這些技術對於評估場效應晶體管性能和確定改進領域至關重要。該書提供了實用的示例和練習，以幫助讀者將他們研究的概念應用於實際問題。這本書的一個獨特之處在於它專註於理解技術演變過程的重要性。作者強調有必要研究和了解FET技術的歷史發展，以評估其現狀和未來潛力。這種觀點有助於讀者了解該領域技術進步的重要性及其對現代社會的影響。該書還強調了產生對現代知識發展過程感知的個人範式的必要性和可能性。