The book covers all aspects of device physics, materials, processing, and device performance and presents a systematic approach to the design of these devices. The book begins by discussing the importance of computer-aided design (CAD) in the development of integrated circuits, followed by an overview of the technology evolution and its impact on society. It then delves into the details of SiGe and GaAs materials and their properties, device structures, and fabrication processes. The next section focuses on the physics of semiconductor devices, including carrier transport and mobility, and the effects of doping and impurities on device performance. The following chapters cover the simulation and modeling of SiGe and GaAs devices using TCAD tools and techniques, as well as the challenges associated with these devices. Finally, the book concludes with a discussion of future trends and directions in the field of SiGe and GaAs technology. Throughout the book, the author emphasizes the need for a personal paradigm for perceiving the technological process of developing modern knowledge as the basis for the survival of humanity and the unification of people in a warring state.

Книга охватывает все аспекты физики устройств, материалов, обработки и производительности устройств и представляет систематический подход к проектированию этих устройств. Книга начинается с обсуждения важности автоматизированного проектирования (САПР) в разработке интегральных схем, за которым следует обзор эволюции технологии и ее влияния на общество. Затем он углубляется в детали материалов Ge и GaAs и их свойства, структуры устройств и процессы изготовления. Следующий раздел посвящен физике полупроводниковых устройств, включая транспорт носителей и мобильность, а также влиянию легирования и примесей на производительность устройства. Следующие главы посвящены моделированию и моделированию устройств Ge и GaAs с использованием инструментов и методов TCAD, а также проблемам, связанным с этими устройствами. Наконец, книга завершается обсуждением будущих тенденций и направлений в области технологий Ge и GaAs. На протяжении всей книги автор подчёркивает необходимость личностной парадигмы восприятия технологического процесса развития современного знания как основы выживания человечества и объединения людей в воюющем государстве.

livre couvre tous les aspects de la physique des appareils, des matériaux, de la manipulation et des performances des appareils et présente une approche systématique de la conception de ces appareils. livre commence par une discussion sur l'importance de la conception assistée par ordinateur (CAO) dans le développement des circuits intégrés, suivie d'un aperçu de l'évolution de la technologie et de son impact sur la société. Il est ensuite creusé dans les détails des matériaux Ge et GaAs et leurs propriétés, la structure des dispositifs et les processus de fabrication. La section suivante est consacrée à la physique des dispositifs semi-conducteurs, y compris le transport des porteurs et la mobilité, ainsi qu'aux effets du dopage et des impuretés sur les performances du dispositif. s chapitres suivants sont consacrés à la modélisation et à la modélisation des dispositifs Ge et GaAs à l'aide des outils et techniques TCAD, ainsi qu'aux problèmes liés à ces dispositifs. Enfin, le livre se termine par une discussion sur les tendances et les orientations futures des technologies Ge et GaAs. Tout au long du livre, l'auteur souligne la nécessité d'un paradigme personnel de la perception du processus technologique du développement des connaissances modernes comme base de la survie de l'humanité et de l'unification des gens dans un État en guerre.

libro cubre todos los aspectos de la física de dispositivos, materiales, procesamiento y rendimiento de dispositivos y presenta un enfoque sistemático para el diseño de estos dispositivos. libro comienza con un debate sobre la importancia del diseño automatizado (CAD) en el desarrollo de circuitos integrados, seguido de una revisión de la evolución de la tecnología y su impacto en la sociedad. A continuación, se profundiza en los detalles de los materiales de Ge y GaAs y sus propiedades, estructuras de dispositivos y procesos de fabricación. La siguiente sección se centra en la física de los dispositivos semiconductores, incluyendo el transporte de medios y la movilidad, así como el impacto de la dopaje y las impurezas en el rendimiento del dispositivo. siguientes capítulos se centran en el modelado y simulación de dispositivos Ge y GaAs utilizando herramientas y técnicas TCAD, así como los problemas relacionados con estos dispositivos. Por último, el libro concluye con un debate sobre las tendencias y orientaciones futuras de las tecnologías Ge y GaAs. A lo largo del libro, el autor hace hincapié en la necesidad de un paradigma personal para percibir el proceso tecnológico del desarrollo del conocimiento moderno como base para la supervivencia de la humanidad y la unión de las personas en un Estado en guerra.

O livro abrange todos os aspectos da física dos dispositivos, materiais, processamento e desempenho dos dispositivos e apresenta uma abordagem sistemática da engenharia destes dispositivos. O livro começa com um debate sobre a importância da engenharia automatizada (CAD) no desenvolvimento de esquemas integrados, seguido de uma revisão da evolução da tecnologia e seus efeitos na sociedade. Em seguida, ele se aprofunda em detalhes de materiais e e suas propriedades, estruturas de dispositivos e processos de fabricação. A próxima seção é sobre a física dos dispositivos semicondutores, incluindo transporte de mídia e mobilidade, e os efeitos da legação e impureza no desempenho do dispositivo. Os capítulos seguintes são sobre a modelagem e modelagem de dispositivos e com ferramentas e técnicas TCAD e problemas relacionados a esses dispositivos. Por fim, o livro termina com uma discussão sobre as futuras tendências e pautas de tecnologia de Ge e GaAs. Ao longo do livro, o autor sublinha a necessidade de um paradigma pessoal de percepção do processo tecnológico de desenvolvimento do conhecimento moderno como base para a sobrevivência da humanidade e a união das pessoas num Estado em guerra.

Il libro comprende tutti gli aspetti della fisica dei dispositivi, dei materiali, della lavorazione e delle prestazioni dei dispositivi e presenta un approccio sistematico alla progettazione di questi dispositivi. Il libro inizia con un dibattito sull'importanza della progettazione automatizzata (CAD) nello sviluppo di diagrammi integrati, seguito da una panoramica sull'evoluzione della tecnologia e sul suo impatto sulla società. Viene quindi approfondito nei dettagli dei materiali e delle loro proprietà, strutture dei dispositivi e processi di fabbricazione. La sezione seguente riguarda la fisica dei dispositivi semiconduttori, inclusi il trasporto dei supporti e la mobilità, nonché l'impatto della regolazione e delle impurità sulle prestazioni del dispositivo. I seguenti capitoli riguardano la modellazione e la simulazione di dispositivi di Ge e di GaAs utilizzando strumenti e metodi TCAD e i problemi associati a tali dispositivi. Infine, il libro si conclude con un dibattito sulle future tendenze e le linee guida delle tecnologie di Ge e di GaAs. Durante tutto il libro, l'autore sottolinea la necessità di un paradigma personale per la percezione del processo tecnologico dello sviluppo della conoscenza moderna come base per la sopravvivenza dell'umanità e l'unione delle persone in uno stato in guerra.

Das Buch behandelt alle Aspekte der Gerätephysik, Materialien, Verarbeitung und istung von Geräten und stellt einen systematischen Ansatz zur Gestaltung dieser Geräte vor. Das Buch beginnt mit einer Diskussion über die Bedeutung des computergestützten Designs (CAD) bei der Entwicklung integrierter Schaltungen, gefolgt von einem Überblick über die Entwicklung der Technologie und ihre Auswirkungen auf die Gesellschaft. Anschließend geht es in die Details der Materialien Ge und GaAs und deren Eigenschaften, Gerätestrukturen und Herstellungsprozesse. Der nächste Abschnitt befasst sich mit der Physik von Halbleiterbauelementen, einschließlich Trägertransport und Mobilität, sowie den Auswirkungen von Dotierungen und Verunreinigungen auf die Geräteleistung. Die folgenden Kapitel befassen sich mit der Modellierung und mulation von Ge- und GaAs-Geräten unter Verwendung von TCAD-Werkzeugen und -Techniken sowie den mit diesen Geräten verbundenen Problemen. Schließlich schließt das Buch mit einer Diskussion über zukünftige Trends und Richtungen im Bereich der Ge- und GaAs-Technologien. Während des gesamten Buches betont der Autor die Notwendigkeit eines persönlichen Paradigmas für die Wahrnehmung des technologischen Prozesses der Entwicklung des modernen Wissens als Grundlage für das Überleben der Menschheit und die Vereinigung der Menschen in einem kriegführenden Staat.

Książka obejmuje wszystkie aspekty fizyki urządzeń, materiałów, przetwarzania i wydajności urządzeń i przedstawia systematyczne podejście do projektowania tych urządzeń. Książka rozpoczyna się od omówienia znaczenia projektowania wspomaganego komputerowo (CAD) w projektowaniu układów scalonych, a następnie przeglądu ewolucji technologii i jej wpływu na społeczeństwo. Następnie zagłębia się w szczegóły materiałów Ge i GaAs oraz ich właściwości, struktury urządzeń i procesy produkcji. Następna sekcja skupia się na fizyce urządzeń półprzewodnikowych, w tym transporcie nośnym i mobilności, a także na wpływie dopingu i zanieczyszczeń na wydajność urządzeń. Poniższe rozdziały koncentrują się na symulacjach i symulacjach urządzeń Ge i GaAs za pomocą narzędzi i metod TCAD oraz wyzwaniach związanych z tymi urządzeniami. Wreszcie książka kończy się dyskusją na temat przyszłych trendów i kierunków w technologiach Ge i GaAs. W całej książce autor podkreśla potrzebę osobistego paradygmatu postrzegania technologicznego procesu rozwoju nowoczesnej wiedzy jako podstawy do przetrwania ludzkości i zjednoczenia ludzi w stanie wojennym.

הספר מכסה את כל ההיבטים של פיזיקת התקנים, חומרים, עיבוד וביצועי התקנים ומציג גישה שיטתית הספר מתחיל בדיונים על חשיבות העיצוב המסייע למחשבים (CAD) בעיצוב מעגלים משולבים, ואחריו סקירה של התפתחות הטכנולוגיה והשפעתה על החברה. לאחר מכן הוא מתעמק בפרטים של חומרי Ge ו-Gaas ומאפייניהם, מבני התקנים ותהליכי ייצור. החלק הבא מתמקד בפיזיקה של מכשירי מוליכים למחצה, כולל הובלה וניידות של נושאות מטוסים, וההשפעה של סימום וטומאה על ביצועי ההתקן. הפרקים הבאים מתמקדים בסימולציות וסימולציות של התקני GE ו-GaAS באמצעות כלים ושיטות TCAD, ובאתגרים הקשורים למכשירים אלה. לבסוף, הספר מסתיים בדיון על מגמות וכיוונים עתידיים בטכנולוגיות Ge ו-GaAS. לאורך הספר מדגיש המחבר את הצורך בפרדיגמה אישית של תפיסה של התהליך הטכנולוגי של התפתחות הידע המודרני כבסיס להישרדות האנושות ולאיחוד בני האדם במדינה לוחמת.''

Kitap, cihaz fiziği, malzemeleri, işleme ve cihaz performansının tüm yönlerini kapsar ve bu cihazların tasarımına sistematik bir yaklaşım sunar. Kitap, entegre devre tasarımında bilgisayar destekli tasarımın (CAD) önemini tartışarak başlar, ardından teknolojinin evrimine ve toplum üzerindeki etkisine genel bir bakış izler. Daha sonra Ge ve GaAs malzemelerinin ayrıntılarını ve özelliklerini, cihaz yapılarını ve üretim süreçlerini inceler. Bir sonraki bölüm, taşıyıcı taşıma ve mobilite ve doping ve safsızlıkların cihaz performansı üzerindeki etkisi de dahil olmak üzere yarı iletken cihaz fiziğine odaklanmaktadır. Aşağıdaki bölümler, TCAD araçlarını ve yöntemlerini kullanan Ge ve GaAs cihazlarının simülasyonlarına ve simülasyonlarına ve bu cihazlarla ilgili zorluklara odaklanmaktadır. Son olarak, kitap Ge ve GaAs teknolojilerindeki gelecekteki eğilimlerin ve yönlerin tartışılmasıyla sona eriyor. Kitap boyunca, yazar, insanlığın hayatta kalması ve insanların savaşan bir durumda birleşmesi için temel olarak modern bilginin gelişiminin teknolojik sürecinin kişisel bir algı paradigmasına olan ihtiyacını vurgulamaktadır.

يغطي الكتاب جميع جوانب فيزياء الأجهزة والمواد والمعالجة وأداء الأجهزة ويقدم نهجًا منهجيًا لتصميم هذه الأجهزة. يبدأ الكتاب بمناقشة أهمية التصميم بمساعدة الحاسوب (CAD) في تصميم الدوائر المتكاملة، يليه نظرة عامة على تطور التكنولوجيا وتأثيرها على المجتمع. ثم يتعمق في تفاصيل مواد Ge و GaAs وخصائصها وهياكل الأجهزة وعمليات التصنيع. يركز القسم التالي على فيزياء أجهزة أشباه الموصلات، بما في ذلك النقل الناقل والتنقل، وتأثير المنشطات والشوائب على أداء الجهاز. تركز الفصول التالية على عمليات المحاكاة والمحاكاة لأجهزة Ge و GaAs باستخدام أدوات وطرق TCAD، والتحديات المرتبطة بهذه الأجهزة. أخيرًا، يختتم الكتاب بمناقشة الاتجاهات والاتجاهات المستقبلية في تقنيات Ge و GaAs. في جميع أنحاء الكتاب، يؤكد المؤلف على الحاجة إلى نموذج شخصي للإدراك للعملية التكنولوجية لتطوير المعرفة الحديثة كأساس لبقاء البشرية وتوحيد الناس في حالة حرب.

이 책은 장치 물리학, 재료, 처리 및 장치 성능의 모든 측면을 다루며 이러한 장치의 설계에 대한 체계적인 접근 방식을 제공합니다. 이 책은 집적 회로 설계에서 컴퓨터 보조 설계 (CAD) 의 중요성에 대해 논의한 후 기술의 진화와 사회에 미치는 영향에 대한 개요로 시작됩니다. 그런 다음 Ge 및 GaA 재료의 세부 사항과 그 특성, 장치 구조 및 제조 공정을 탐구합니다. 다음 섹션은 캐리어 전송 및 이동성, 도핑 및 불순물이 장치 성능에 미치는 영향을 포함한 반도체 장치 물리학에 중점을 둡니다. 다음 장은 TCAD 도구 및 방법을 사용하는 Ge 및 GaA 장치의 시뮬레이션 및 시뮬레이션 및 이러한 장치와 관련된 문제에 중점을 둡니다. 마지막으로이 책은 Ge 및 GaAs 기술의 미래 동향과 방향에 대한 토론으로 마무리됩니다. 이 책 전체에서 저자는 인류의 생존과 전쟁 상태에있는 사람들의 통일의 기초로서 현대 지식 개발의 기술 과정에 대한 인식의 개인적인 패러다임의 필요성을 강조한다.

本書は、デバイス物理学、材料、処理およびデバイス性能のすべての側面をカバーし、これらのデバイスの設計に対する体系的なアプローチを提示します。まず、集積回路設計におけるコンピュータ支援設計（CAD）の重要性を論じ、その技術の進化と社会への影響について概観する。次に、GeおよびGaAs材料の詳細とその特性、デバイス構造、製造プロセスについて詳しく説明します。次のセクションでは、キャリア輸送やモビリティなどの半導体デバイス物理学と、ドーピングや不純物がデバイスの性能に与える影響に焦点を当てています。次の章では、TCADツールや手法を使用したGeおよびGaAsデバイスのシミュレーションとシミュレーション、およびこれらのデバイスに関連する課題に焦点を当てています。最後に、GeとGaAs技術における今後の動向と方向性についての議論で締めくくります。著者はこの本を通して、人類の存続と戦争状態における人々の統一の基礎としての近代的知識の発展の技術的プロセスの認識の個人的パラダイムの必要性を強調している。

本書涵蓋了設備物理學，材料，設備處理和性能的各個方面，並提出了一種系統化的方法來設計這些設備。本書首先討論了計算機輔助設計（CAD）在集成電路開發中的重要性，然後回顧了該技術的演變及其對社會的影響。然後深入研究Ge和GaAs材料的細節及其性能、設備結構和制造過程。下一節討論半導體器件的物理學，包括載體運輸和移動性，以及摻雜和雜質對器件性能的影響。以下章節涉及使用TCAD工具和技術對Ge和GaAs設備進行建模和建模，以及與這些設備相關的問題。最後，該書最後討論了Ge和GaAs技術的未來趨勢和方向。在整個書中，作者強調了個人範式的必要性，即將現代知識發展的技術過程視為人類生存和交戰國人民團結的基礎。