Book Description: Vertical GaN and SiC Power Devices Author: Kazuhiro Mochizuki 2018 Artech House Summary: This comprehensive guide provides an in-depth look at the evolution of technology, specifically focusing on vertical Gallium Nitride (GaN) and Silicon Carbide (SiC) power devices. With a focus on real-world examples and practical applications, this book offers readers a thorough understanding of the design features and performance characteristics of these cutting-edge technologies. The text begins by exploring the fundamental principles of solid-state physics and their relevance to power semiconductor devices, before delving into the specifics of vertical versus lateral power devices. Chapter 1: Introduction to Solid-State Physics and Power Semiconductor Devices In this opening chapter, readers are introduced to the abstract concepts of solid-state physics and their significance in modern technology. The author explains the importance of understanding these principles for a deeper appreciation of power semiconductor devices and their role in shaping the future of humanity. This chapter sets the stage for the rest of the book, providing a foundation for the topics that follow.

Vertical GaN and C Power Devices Автор: Казухиро Мотизуки (Kazuhiro Mochizuki) 2018 г. Резюме Artech House: В этом всестороннем руководстве представлен глубокий взгляд на развитие технологий, в частности, с акцентом на вертикальные силовые устройства на основе нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (C). Эта книга посвящена примерам практического применения и предлагает читателям глубокое понимание конструктивных особенностей и рабочих характеристик этих передовых технологий. Текст начинается с изучения фундаментальных принципов физики твердого тела и их значимости для силовых полупроводниковых устройств, прежде чем углубиться в специфику вертикальных и боковых силовых устройств. Глава 1: Введение в физику твердого тела и силовые полупроводниковые приборы В этой вступительной главе читатели знакомятся с абстрактными понятиями физики твердого тела и их значением в современных технологиях. Автор объясняет важность понимания этих принципов для более глубокого понимания мощных полупроводниковых устройств и их роли в формировании будущего человечества. Эта глава закладывает основу для остальной части книги, обеспечивая основу для последующих тем.

Vertical GaN and C Power Devices Auteur : Kazuhiro Mochizuki (Kazuhiro Mochizuki) 2018 Résumé Artech House : Ce guide complet présente une vision approfondie du développement de la technologie, en particulier en mettant l'accent sur les dispositifs de puissance verticaux à base de nitrure de gallium (GaN a) ) et le carbure de silicium (C). Ce livre traite d'exemples d'applications pratiques et offre aux lecteurs une compréhension approfondie des caractéristiques constructives et des performances de ces technologies de pointe. texte commence par une étude des principes fondamentaux de la physique du solide et de leur pertinence pour les dispositifs semi-conducteurs de puissance, avant d'approfondir les spécificités des dispositifs de puissance verticaux et latéraux. Chapitre 1 : Introduction à la physique du solide et aux instruments à semi-conducteurs de puissance Dans ce chapitre d'introduction, les lecteurs se familiarisent avec les concepts abstraits de la physique du solide et leur importance dans les technologies modernes. L'auteur explique l'importance de comprendre ces principes pour mieux comprendre les dispositifs semi-conducteurs puissants et leur rôle dans la formation de l'avenir de l'humanité. Ce chapitre jette les bases du reste du livre, fournissant une base pour les thèmes suivants.

Vertical GaN y C Power Devices Autor: Kazuhiro Motisuki 2018 Resumen de Artech House: Esta guía integral presenta una visión profunda del desarrollo de la tecnología, en particular con un enfoque sobre dispositivos de potencia verticales basados en nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (C). Este libro se centra en ejemplos de aplicaciones prácticas y ofrece a los lectores una comprensión profunda de las características constructivas y de funcionamiento de estas tecnologías avanzadas. texto comienza estudiando los principios fundamentales de la física del sólido y su importancia para los dispositivos semiconductores de potencia antes de profundizar en la especificidad de los dispositivos de potencia verticales y laterales. Capítulo 1: Introducción a la física del sólido y a los instrumentos semiconductores de potencia En este capítulo introductorio, los lectores se familiarizan con los conceptos abstractos de la física del sólido y su significado en la tecnología moderna. autor explica la importancia de entender estos principios para comprender mejor los poderosos dispositivos semiconductores y su papel en la formación del futuro de la humanidad. Este capítulo sienta las bases para el resto del libro, proporcionando una base para temas posteriores.

Vertical Power Devices Autore: Kazuhiro Mozizuki 2018 Riepilogo di Artech House: Questa guida completa fornisce una visione approfondita dello sviluppo tecnologico, con particolare riferimento ai dispositivi verticali basati su nitride di gallio e carbonio ( ) Questo libro è dedicato ad esempi di applicazioni pratiche e offre ai lettori una profonda comprensione delle caratteristiche costruttive e operative di queste tecnologie avanzate. Il testo inizia studiando i principi fondamentali della fisica solida e la loro rilevanza per i dispositivi semiconduttori di potenza prima di approfondire la specificità dei dispositivi di forza verticali e laterali. Capitolo 1: Introduzione alla fisica solida e a semiconduttori di potenza In questo capitolo introduttivo, i lettori conoscono i concetti astratti della fisica solida e il loro significato nelle tecnologie moderne. L'autore spiega l'importanza di comprendere questi principi per comprendere meglio i potenti semiconduttori e il loro ruolo nella formazione del futuro dell'umanità. Questo capitolo pone le basi per il resto del libro, fornendo le basi per i temi successivi.

Vertical GaN and C Power Devices Autor: Kazuhiro Mochizuki 2018 Zusammenfassung von Artech House: Dieser umfassende itfaden bietet einen tiefen Einblick in die Entwicklung der Technologie, insbesondere mit Schwerpunkt auf vertikalen Galliumnitrid-basierten istungsgeräten (GaN) und liziumkarbid (C). Dieses Buch konzentriert sich auf praktische Anwendungsbeispiele und bietet den sern ein tiefes Verständnis für die Konstruktionsmerkmale und istungsmerkmale dieser fortschrittlichen Technologien. Der Text beginnt mit der Untersuchung der grundlegenden Prinzipien der Festkörperphysik und ihrer Bedeutung für istungshalbleiterbauelemente, bevor er sich mit den Besonderheiten vertikaler und lateraler istungsbauelemente befasst. Kapitel 1: Einführung in die Festkörperphysik und istungshalbleiterbauelemente In diesem einleitenden Kapitel lernen die ser die abstrakten Konzepte der Festkörperphysik und ihre Bedeutung in modernen Technologien kennen. Der Autor erklärt, wie wichtig es ist, diese Prinzipien zu verstehen, um istungshalbleiterbauelemente und ihre Rolle bei der Gestaltung der Zukunft der Menschheit besser zu verstehen. Dieses Kapitel legt den Grundstein für den Rest des Buches und bietet die Grundlage für nachfolgende Themen.

Vertical GaN ו-C Power Devices על ידי Cazuhiro Mochizuki 2018 Summary by Artech House: מדריך מקיף זה מספק מבט מעמיק על התפתחויות טכנולוגיות, במיוחד התמקדות במכשירי כוח אנכיים GaN N. ספר זה מתמקד במחקרי מקרים ומציע לקוראים הבנה עמוקה של תכונות העיצוב והביצועים של טכנולוגיות מתקדמות אלו. הטקסט מתחיל בבדיקת העקרונות הבסיסיים של פיזיקת מצב מוצק והרלוונטיות שלהם לכוח התקני מוליכים למחצה לפני שהם מתעמקים בפרטים של התקני כוח אנכיים ורודיים. פרק 1: מבוא למוליכים למחצה ופיזיקת מצב מוצק (Solid State Physics and Power Semiconductor Devices) פרק מבוא זה מציג לקוראים את המושגים המופשטים של פיזיקת מצב מוצק והשלכותיהם על הטכנולוגיה המודרנית. המחבר מסביר את החשיבות של הבנת עקרונות אלה להבנה עמוקה יותר של מכשירי מוליכים למחצה רבי עוצמה ותפקידם בעיצוב עתיד האנושות. פרק זה מניח את היסודות לשאר הספר ומספק את הבסיס לנושאים מאוחרים יותר.''

Kazuhiro Mochizuki'nin Dikey GaN ve C Güç Cihazları 2018 Artech House'un Özeti: Bu kapsamlı kılavuz, özellikle galyum nitrür (GaN) dikey güç cihazları ve silisyum karbür (C) üzerine odaklanan teknoloji gelişmelerine derinlemesine bir bakış sunar. Bu kitap vaka çalışmalarına odaklanmakta ve okuyuculara bu ileri teknolojilerin tasarım özellikleri ve performansı hakkında derin bir anlayış sunmaktadır. Metin, katı hal fiziğinin temel prensiplerini ve bunların dikey ve yanal güç cihazlarının özelliklerini incelemeden önce yarı iletken cihazlara olan ilgisini inceleyerek başlar. Bölüm 1: Katı Hal Fiziği ve Güç Yarı İletken Cihazlarına Giriş Bu giriş bölümü, okuyuculara katı hal fiziğinin soyut kavramlarını ve bunların modern teknolojideki etkilerini tanıtmaktadır. Yazar, güçlü yarı iletken cihazların daha derin bir şekilde anlaşılması ve insanlığın geleceğini şekillendirmedeki rolleri için bu ilkeleri anlamanın önemini açıklıyor. Bu bölüm, kitabın geri kalanı için zemin hazırlar ve daha sonraki konular için temel oluşturur.

أجهزة الطاقة العمودية GaN و C بواسطة Kazuhiro Mochizuki 2018 ملخص من Artech House: يوفر هذا الدليل الشامل نظرة متعمقة على التطورات التكنولوجية، مع التركيز بشكل خاص على أجهزة الطاقة العمودية لنتريد الغاليوم (GaN) وكربيد السيليكون (C). يركز هذا الكتاب على دراسات الحالة ويقدم للقراء فهمًا عميقًا لميزات تصميم وأداء هذه التقنيات المتقدمة. يبدأ النص بفحص المبادئ الأساسية لفيزياء الحالة الصلبة وصلتها بأجهزة أشباه الموصلات القوية قبل الخوض في تفاصيل أجهزة الطاقة الرأسية والجانبية. الفصل 1: مقدمة إلى فيزياء الحالة الصلبة وأجهزة أشباه الموصلات القوية يقدم هذا الفصل التمهيدي للقراء المفاهيم المجردة لفيزياء الحالة الصلبة وآثارها في التكنولوجيا الحديثة. يشرح المؤلف أهمية فهم هذه المبادئ لفهم أعمق لأجهزة أشباه الموصلات القوية ودورها في تشكيل مستقبل البشرية. يضع هذا الفصل الأساس لبقية الكتاب، مما يوفر الأساس للمواضيع اللاحقة.

Artech House의 Kazuhiro Mochizuki 2018 요약에 의한 수직 GaN 및 C 전력 장치: 이 포괄적 인 가이드는 특히 질화 갈륨 (GaN) 수직 전력 장치 및 실리콘 카바이드 (C) 에 중점을 둔 기술 개발에 대한 심층을 제공급합니다. 이 책은 사례 연구에 중점을두고 있으며 독자들에게 이러한 고급 기술의 설계 기능과 성능에 대한 깊은 이해를 제공합니 텍스트는 수직 및 측면 전력 장치의 세부 사항을 탐구하기 전에 고체 물리학의 기본 원리와 반도체 장치와의 관련성을 조사하여 시작합니다. 1 장: 솔리드 스테이트 물리 및 전력 반도체 장치 소개이 소개 장은 독자들에게 고체 물리학의 추상적 개념과 현대 기술에 미치는 영향을 소개합니다. 저자는 강력한 반도체 장치에 대한 깊은 이해와 인류의 미래를 형성하는 역할에 대한 이러한 원칙을 이해하는 것의 중요성을 설명합니다. 이 장은 나머지 책의 토대를 마련하여 이후 주제의 기초를 제공합니다.

垂直GaNおよびCパワーデバイス（望月和弘2018）概要Artech House：この包括的なガイドでは、窒化ガリウム（GaN）垂直パワーデバイスに焦点を当てた技術開発の詳細を説明しますC）。本書は、ケーススタディに焦点を当て、読者にこれらの高度な技術の設計機能と性能の深い理解を提供します。テキストは、固体物理学の基本原理とパワー半導体デバイスとの関連性を調べてから始まり、垂直および横方向のパワーデバイスの詳細を調べます。第1章：Solid State PhysicsとPower Semiconductor Devicesの概要この章では、Solid State Physicsの抽象的な概念と、現代のテクノロジーにおけるそれらの影響を読者に紹介します。著者は、強力な半導体デバイスをより深く理解するために、これらの原則を理解することの重要性と、人類の未来を形作る上での役割を説明しています。この章では、後のトピックの基礎を提供し、本の残りの部分の基礎を築きます。

垂直的GaN和C Power Devices作者：Mochizuki（Kazuhiro Mochizuki），2018 Artech House總結：本綜合指南深入介紹了技術發展，特別是著重於基於硝化鎵的垂直動力裝置（GaN）和碳化矽（C）。本書著重於實際應用的示例，並為讀者提供了對這些先進技術的設計特征和性能的深刻見解。本文首先研究了固態物理學的基本原理及其對功率半導體器件的重要性，然後深入研究了垂直和側向功率器件的細節。第一章：固態物理學和功率半導體器件的介紹本章介紹讀者了解固態物理學的抽象概念及其在現代技術中的意義。作者解釋了理解這些原則的重要性，以便更好地了解強大的半導體器件及其在塑造人類未來中的作用。本章為本書的其余部分奠定了基礎，為後續主題提供了基礎。